随着微电子技术的快速发展和以数据为中会心的运用对功能性二极管的需求不断提高，扩大单个二极管的特征宽度或提高单个二极管的功能性是非常必要的，特别是对于中会央处理单元、磁盘器、平面图像传感器以及神经